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目前,国内外已经在电子封装材料的生产和研究上达到了比较高的水平。
第一代电子封装材料主要以Kovar 合 金 ( Ni-Fe ) 为 代 表, 其 热 导 率 可 达 11 ~ 17W / ( m·K) ,热膨胀系数为 4. 2 × 10-6/ K ( 25 ~ 150 ℃ ) ,密度为 8. 1 g/cm3。
第二代封装材料主要以 WCu/Mo Cu 合金为代表,材料的导热性能显著增加,热导率可达 160~200 W / ( m·K) ,但是其热膨胀系数增大到 6. 5 × 10-6~8. 3 × 10-6/ K ( 25 ~ 150 ℃ ) , 密 度 增 加 更 多, 为10 ~ 17 g / cm3。
这两代封装材料的制备与应用技术已非常成熟,并已经实现了工业化生产。
Si Cp/ Al 复合材料作为第三代封装材料的主要代表,其热导率和热膨胀系数与第二代相当,但密度显著降低至 2. 8 ~ 3 g /cm3。国内进行该类材料研究的科研院所非常多,研发的材料性能已经达到国外先进水平。
热导率更高的第四代封装材料的代表为金刚石 /Cu 复合材料,目前国内外均处在研发的初级阶段。
从以上发展过程可以看出,WCu /Mo Cu 合金未来的发展面临极大的挑战,既有可能持续应用于封装领域,也有可能在与其它材料的竞争中被淘汰。
为此,在现有技术的基础上,开展进一步研究提高 WCu /Mo Cu合金的性能,保持其作为封装材料价值优势的工作已迫在眉睫。
 
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